При проектировании СВЧ электроники часто приходится использовать микрополосковые фильтры реализованные на плате в виде проводящих дорожек. Если нужен не очень качественный фильтр (2-3 порядка), то рассчитать его топологию не составит труда. Но иногда необходимо настроить фильтр высокого порядка и получить хорошую селективность и высокое ослабление в полосах заграждения. Тогда задача становится нетривиальной. В таком случае на помощь приходить такой замечательный инструмент современного инженера, как САПР. В данной статье я расскажу про свой опыт настройки СВЧ фильтров с применением Microwave office от AWR. Данная программа представляет собой классический инструмент для симуляции электрических схем и обладает рядом преимуществ, призванных облегчить
Диэлектрическая проницаемость:
Толщина:
Конфигурация подложки: керамическое основание покрытое с двух сторон медной фольгой, на верхней стороне формируется топологический рисунок фильтра.
Так же задаются параметры АЧХ:
Центральная частота полосы пропускания:
Ширина полосы пропускания по заданному уровню:
Максимальный уровень потерь на отражение:
Уровень затухания, по которому определяется симметричность АЧХ, требованием равенства интервалов частот:
Создание фильтра 3 порядка
Схематический эскиз микрополоскового полосно-пропускающего фильтра 3 порядка изображён на рисунке 1. Рисунок 1 - Эскиз фильтра 3 порядкаВ данном случае целесообразно разбить фильтр по горизонтали на 8 частей. Поскольку фильтр симметричный, четыре правые части будут симметричны четырём левым частям и их длины будут равны. Таким образом у фильтра имеются четыре горизонтальных размера (La, Lb, Lc, Ld).Так же у данной конструкции фильтра имеются следующие геометрические параметры:Lr -- длина крайних резонаторов;
Sl12 -- расстояние между 1 и 2 резонаторами;
Sl23 -- расстояние между 2 и 3 резонаторами;
Wl -- толщина резонатора;
Le -- удлинение (укорочение) среднего резонатора.
Есть много разных способов задать геометрическую конфигурацию фильтра и зависимости размеров. На фильтрах более высоких порядков станет понятно, что писанный выше способ не является оптимальным, но для пояснения методики настройки фильтра он вполне подходит. Я не буду здесь описывать возможности и интерфейс программы Microwave Office, поскольку в интернете достаточно гайдов, а буду приводить лишь необходимый минимум иллюстраций из программы. Запускаем Microwave Office и в разделе "Cirquit schematic" создадим новую схему, как показано на рисунке 2. Для этого нужно кликнуть правой кнопкой мыши по данному разделу, выбрать в выпадающем меню команду "New Schematic", ввести его имя и нажать кнопку "Create".Рисунок 2 - Создание новой схемы в разделе "Cirquit schematic"Для моделирования схем СВЧ в Microwave Office, они разбиваются на базовые элементы (микрополосковые проводники, уголки, соединители и т.п.), которые можно выбрать во вкладке "Elements" (слева внизу) в развернутом меню "Microstrip". Каждый пункт данного меню имеет набор соответствующих элементов объединённых одинаковым конструктивным назначением. Нам понадобятся элементы из группы "Microstrip", как показано на рисунке 3.Рисунок 3 - Интерфейс Microwave Office во вкладке "Elements"Элементы слева, из нижнего списка просто перетаскиваются мышкой в область построения схемы. При наведении курсора на точки соединения элементов, курсор изменяет свой вид на катушку - таким образом элементы соединяются кондуктивными связями. В подразделе "Lines" находятся различные простые микрополосковые линии. Из этого раздела потребуются следующие элементы:
MLEF -- микрополосковая концевая линия (обрыв соединения);
MLIN -- двухсторонняя микрополосковая линия.
В подразделе "Coupled Lines" находятся индуктивно связанные микрополосковые линии. Из этого подраздела потребуются следующие элементы:
M2CLIN -- две связанные двухсторонние микрополосковые линии;
M3CLIN -- три связанные двухсторонние микрополосковые линии.
Также, для моделирования понадобится элемент MSUB из подраздела меню "Substrates". Этот элемент представляет собой настраиваемую подложку для микрополосковых схем покрытую снизу проводящим материалом, к которому подключается потенциал земли.В качестве входа и выхода фильтра применяются элементы "Port" расположенные на панели инструментов.В результате построения должна получиться схема изображённая на рисунке 9.У каждого элемента есть свои настраиваемые параметры. Для линий это длина (L), ширина (W) и расстояние между связанными линиями (S). Для портов - сопротивление (Z). Для подложек:
Er -- относительная диэлектрическая проницаемость;
H -- толщина подложки;
T -- толщина проводника;
Rho -- относительное удельное сопротивление проводника нормированное к золоту;
Tand -- тангенс угла потерь диэлектрика;
ErNom -- номинальная относительная диэлектрическая проницаемость.
Microwave Office позволяет создавать зависимые параметры элементов. Для этого используется инструмент "Equation" с панели инструментов, как показано на рисунке 4.Рисунок 4 - Инструмент "Equation"После нажатия этой кнопки курсор изменит свой вид, нужно будет разместить настраиваемый параметр в поле схемы задать зависимости параметра в виде уравнения, как показано на рисунке 8. Нужно обратить внимание, что в уравнении должны содержаться только уже заданные и инициализированные переменные. Таковыми считаются переменные расположенные выше и левее уравнения. Для настройки фильтра выберем независимыми параметрами Lr, Le, Ld, Lb и Sl12, а зависимыми - La=Lr-Lb-(2(Lc+Ld)), Lc=(Lr-Le-2(Lb+Ld))/2 и Sl23=Sl12. Эти параметры задаём уравнениями в поле схемы с помощью инструмента "Equation". Все остальные параметры элементов заполняются в соответствии с заданием. Значение T для подложки выберем равным 0,001 мм. Значение Tand - 0,0001. Значение Rho для подложки определяется материалом проводника. В качестве материала выбрана медь, тогда
Создание фильтра 4 порядка
Схематический эскиз микрополоскового полосно-пропускающего фильтра 4 порядка изображён на рисунке. Рисунок 12 - Эскиз фильтра 4 порядкаВ данном случае целесообразно разбить фильтр по горизонтали на 10 частей. Поскольку фильтр симметричный, пять правых частей будут симметричны пяти левым частям и их длины будут равны. Таким образом у фильтра имеются пять горизонтальных размеров (La, Lb, Lc, Ld, Lf). Помимо этого, сегмент Lc разделяется на два подсегмента Lc1 и Lc2, чтобы можно было регулировать точки подключения портов. Геометрический и физический смысл всех параметров данной конструкции совпадают с аналогичными в конструкции фильтра 3 порядка, за исключением двух:Sl34 - расстояние между 3 и 4 резонаторами;
Le - удлинение (укорочение) 2 и 3 резонаторов.
Отличие данной конструкции от фильтра с 3 резонаторами заключается в наличии ещё одного резонатора. Вследствие этого добавляются дополнительные параметры (удлинение третьего резонатора и зазор между третьим и четвёртым резонатором), поэтому настройка данного фильтра усложняется.На рисунке 13 изображена схема фильтра со всем заполненными параметрами и уравнениями зависимостей. Рисунок 13 - Схема фильтра 4 порядкаНа рисунке 14 изображена АЧХ настроенного фильтра. Рисунок 14 - АЧХ фильтра 4 порядкаНа рисунке 15 изображена топология данного фильтра. Рисунок 15 - Топология фильтра 4 порядкаДля первой статьи пожалуй хватит. Если статья будет пользоваться популярностью, то напишу продолжение - как настраивал фильтры 5 и 6 порядка. А потом ещё могу написать как настраивал все те же фильтры в CST Studio. А пока, для подогрева интереса, добавлю графики сравнения фильтров различных порядков - 3, 4, 5 и 6. Сравнение АЧХ фильтров различных порядков
Литература
Б. А. Беляев, А. М. Сержантов, С. А. Ходенков Параметрический синтез лестничного микрополоскового фильтра по заданной амплитудно-частотной характеристике: метод. указания к выполнению лабораторной работы по курсу "Радиотехника" для студентов направления 210400 "Телекоммуникации" и 210300 "Радиотехника" очной формы обучения - . М.: Сиб. гос. аэрокосмич. ун-т. – Красноярск, 2010. – 44 с.
Р. Г. Галеев, А. С. Волошин, И. В. Говорун, А. М. Сержантов Микрополосковые резонаторы и СВЧ-устройства на их основе : учеб. пособие - Красноярск, 2020. – 166 с.
Тюрнев В. В. Теория цепей СВЧ: Учеб. пособие - Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2003, 194 с.
Л. Г. Малорацкий, Л. Р. Явич Проектирование и расчёт СВЧ элементов на полосковых линиях - . М.: "Советское радио", 1972. 232 с.
У. Титце, К. Шенк Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. / Пер. с нем. - М.: Мир, 1982. - 512 с.
Источник: https://habr.com/ru/post/664942/